半導(dǎo)體類。

納米科技。

產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查。

氧化物、氮化物和金屬材料的研究。

太陽能電池。

光學(xué)研究。

材料研究。

客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應(yīng)用。

寬大的前開式門，並有兩個(gè)視窗和視窗遮版，

用於觀察基材和濺鍍源。

具有顯示功能的全領(lǐng)域真空計(jì)和用於壓力控制

的Baratron真空計(jì)。

腔體的極限真空度約10-8 Torr。

客製化基板尺寸，最大直徑可達(dá)12寸晶圓。

優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

磁控濺鍍源（最多8個(gè)源），具有多種可選的

靶材尺寸。

具有順序操作或共沉積的多個(gè)濺鍍源。

射頻、直流或脈衝直流，分別用於非導(dǎo)電與

導(dǎo)電靶材。

精準(zhǔn)流量控制器（最多4條氣體管線）。

基板可加熱到1000°C。

基材到靶材之間距為可調(diào)節(jié)的。

每個(gè)濺鍍源和基板均安裝遮板。

可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。

結(jié)合離子源、熱蒸發(fā)源，電子束...等等。

基板射頻或直流偏壓。

膜厚監(jiān)測儀。

射頻等離子清潔用於基材。

OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。