BES03TL巴魯夫開關(guān)上海秉銘BES M08MI-PSC20B-BP10傳感器對各種揮發(fā)性有機(jī)化合物響應(yīng)系數(shù)不同，導(dǎo)致其難以對特定空間的揮發(fā)性有機(jī)化合物的氣相濃度進(jìn)行定量監(jiān)測的難題，通過構(gòu)建在線測試系統(tǒng)，用氣相色譜儀測定結(jié)果對紅外傳感器測試數(shù)據(jù)進(jìn)行校正，以獲得揮發(fā)性有機(jī)化合物在傳感器上的響應(yīng)系數(shù)，用于校正傳感器對特定有機(jī)物的定量監(jiān)測值。分別利用氣相色譜和紅外傳感器同時在線測試了核電安全殼檢修期間主要的乙醇、異丙醇、正丁醇、甲苯、二甲苯和十一烷6種揮發(fā)性有機(jī)物的氣相濃度，并使用氣相色譜測定值與傳感器測定值計算獲得了各揮發(fā)性有機(jī)物的紅外傳感器校正系數(shù)，所得校正系數(shù)在不同的濃度下對同一物質(zhì)恒定。在將來的應(yīng)用中，相應(yīng)有機(jī)化合物的校正系數(shù)乘以紅外傳感器測試值即可得到該有機(jī)化合物在氣相中的真實(shí)濃度值。進(jìn)一步根據(jù)各揮發(fā)性有機(jī)化合物的爆炸下限數(shù)值，建立了基于紅外傳感器監(jiān)測的密閉空間內(nèi)揮發(fā)性有機(jī)物濃度安全值的監(jiān)測方法。 基于新型標(biāo)記材料的免疫分析技術(shù)，包括酶聯(lián)免疫吸附法、免疫層析技術(shù)、電化學(xué)免疫傳感技術(shù)、免疫芯片技術(shù)、基于免疫分析的流式微球技術(shù)和時間分辨熒光免疫分析技術(shù)，應(yīng)用于糧食產(chǎn)品中真菌毒素快速檢測的研究現(xiàn)狀進(jìn)行綜述，系統(tǒng)分析了各種免疫分析技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)，為免疫分析技術(shù)在真菌毒素檢測的應(yīng)用及發(fā)展提供參考，同時也為保障糧食產(chǎn)品的安全提供了新思路。由于電力電子器件高頻開斷產(chǎn)生的強(qiáng)電磁干擾,正弦電壓下測試技術(shù)已不適用于陡脈沖電壓下變頻電機(jī)絕緣局部放電檢測。對此,通過在傳統(tǒng)阿基米德平面螺旋天線上添加微帶巴倫實(shí)現(xiàn)阻抗匹配,并在天線輻射面上覆蓋高介電常數(shù)介質(zhì)優(yōu)化天線結(jié)構(gòu),提升了天線在0.5～1.5GHz頻帶的增益性能,增加了重復(fù)脈沖下放電檢測高頻信噪比,從而解決了納秒陡脈沖強(qiáng)電磁干擾下局部放電檢測技術(shù)難題。然后,利用所設(shè)計的脈沖電壓下特高頻傳感器,實(shí)驗(yàn)研究了重復(fù)脈沖參數(shù)和傳感器布置對變頻電機(jī)絕緣放電時頻信號影響規(guī)律。研究表明,重復(fù)脈沖電壓下放電信號能量在0.5～1.3GHz范圍內(nèi)隨天線放置距離增加非線性衰減;在高頻區(qū)域重復(fù)脈沖頻率對放電頻譜影響顯著,放電特高頻信號隨頻率增加衰減嚴(yán)重。結(jié)合傳感器建模仿真、實(shí)物制作和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,得出高頻脈沖下用于變頻電機(jī)絕緣放電檢測的阿基米德平面螺旋天線參數(shù)和布置方式:當(dāng)介質(zhì)覆層厚度為1mm,距天線輻射面的距離d=30 mm時,在500～900 MHz頻帶范圍內(nèi)增益均大于2.5 dB,在900 MHz～2.0 GHz頻帶范圍內(nèi)增益大于7.0 dB,且駐波比小于1.4。 

BES03TL巴魯夫開關(guān)上海秉銘BES M08MI-PSC20B-BP10以單片機(jī)為控制單元,利用串口觸摸屏和濁度傳感器設(shè)計了一種污水自動清水裝置。系統(tǒng)利用串口觸摸屏作為上位機(jī)、單片機(jī)作為下位機(jī),通過濁度傳感器檢測水質(zhì)狀況,從而驅(qū)動凈水裝置,保持水質(zhì)穩(wěn)定。系統(tǒng)擺脫了傳統(tǒng)上位機(jī)界面復(fù)雜、不友好及成本高等缺點(diǎn)。樣機(jī)調(diào)試結(jié)果表明,系統(tǒng)操作簡單、性能穩(wěn)定、軟硬件設(shè)計方案可行,實(shí)現(xiàn)了對污水的自動清潔,具有較好的應(yīng)用前景。 光纖光柵的重要應(yīng)用形式之一是通過粘貼在結(jié)構(gòu)表面來測量應(yīng)變,通常需要設(shè)計合金薄片基底進(jìn)行封裝以提高表面式光纖光柵的強(qiáng)度。文中建立了表面式光纖光柵傳感器的分析模型來預(yù)測應(yīng)變傳遞率;以之為基礎(chǔ),進(jìn)一步分析和比較了基底材料和尺寸對表面式光纖光柵應(yīng)變傳遞速率的影響:為工程中選擇合適的基底材料提供了理論依據(jù)。 

  BES M08MI-PSC20B-BP05 BES003J

BES M08MI-PSC20B-BP05-GS04 BES04WN

BES M08MI-PSC20B-BP10 BES03TL

BES M08MI-PSC20B-BV02 BES003K

BES M08MI-PSC20B-BV03 BES003L

BES M08MI-PSC20B-BV05 BES003M

BES M08MI-PSC20B-BV10 BES003N

BES M08MI-PSC20B-S49G BES003P

BES M08MI-PSC40B-BP00,2-GS04 BES01ZU

BES M08MI-PSC40B-BP00,3-GS49 BES003R

BES M08MI-PSC40B-BP00,5-GS04 BES024U

BES M08MI-PSC40B-S49G BES01ZW

BES M12EA-NSC40B-EP01 BES04E0

BES M12EA-NSC60F-EP00,3-GS04 BES047P

BES M12EA-POC40B-EP00,3-GS04 BES0465

BES M12EA-POC60F-EP00,3-GS04 BES047M

BES M12EA-PSC40B-EP00,3-GS04 BES0464

BES M12EA-PSC40B-EP01 BES04E1

BES M12EA-PSC60F-EP00,3-GS04 BES047L

BES M12EE-POC40B-S04G-L01 BES0432

BES M12EE-PSC40B-S04G BES014W

BES M12EE-PSC40B-S04G-L01 BES0433

BES M12EE1-PSY20B-S04G-L01 BES0444

BES M12EE1-PSY40F-S04G-L01 BES0443

BES M12EF1-NSC10F-S04G-S BES02WC

BES M12EF1-PSC10F-S04G-S BES02WE

BES M12EG-PSC70F-S04G BES01PJ

BES M12EG-PSC80F-BP03 BES01PK

BES M12EG-PSC80F-BP10 BES01PL

BES M12EG-PSC80F-BV03 BES01PM

BES M12EG-PSC80F-S04G BES01PN

BES M12EG1-NSC20S-S04G-S BES02Z0

BES M12EG1-NSC60Z-S04G-S11 BES02WF

BES M12EG1-POC20S-S04G-S BES02Z1

BES M12EG1-PSC20N-S04G-S BES02Z2

BES M12EG1-PSC20S-S04G-S BES02Z3

BES M12EG1-PSC60Z-S04G-S11 BES02WH

BES M12EI-NSC40B-S04G BES02FR

BES M12EI-NSC40B-S04G-L01 BES0436

BES M12EI-NSC40B-S04G-S BES02N8

BES M12EI-NSC40B-S04G-S01 BES02N9

BES M12EI-NSC40F-BV03 BES053J

BES M12EI-POC40B-BP03-008 BES049F

BES M12EI-POC40B-S04G BES02FT

BES M12EI-POC40B-S04G-L01 BES0434

BES M12EI-PSC40A-S04G-S BES04Z5

BES M12EI-PSC40B-S04G BES02FU

BES M12EI-PSC40B-S04G-L01 BES0435

BES M12EI-PSC40B-S04G-S BES02NA

BES M12EI-PSC40B-S04G-S01 BES02NC